•
•
•
•
•
•
Транзистор IGBT IXYS IXBT16N170AHV, 10 А, 150 Вт, TO268HV — набор 2 шт.
Характеристики и описание
Основной
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимый ток коллектора | 10 А |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Основной
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO268HV |
| Технология | BiMOSFET™ |
Транзистор IGBT производства IXYS, модель IXBT16N170AHV. В комплект входят 2 единицы компонента в корпусе TO268HV.
- Максимальная мощность рассеивания 150 Вт
- Максимально допустимый ток коллектора 10 А
- Технология BiMOSFET™
- Корпус TO268HV для SMD монтажа
- В комплекте 2 транзистора
Компонент имеет максимальную мощность рассеивания 150 Вт. Максимальная мощность рассеивания составляет 150 Вт.
Максимально допустимый ток коллектораМаксимально допустимый ток коллектора составляет 10 А.
Технология BiMOSFET™Транзистор изготовлен по технологии BiMOSFET™.
Удобный монтажКомпонент предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе TO268HV. Тип монтажа: SMD.
Транзистор IGBT IXYS IXBT16N170AHV, 10 А, 150 Вт, TO268HV — набор 2 шт.
В наличии
3 140 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Самовывоз
IBAN UA063220010000026005360045578
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Самовывоз
Условия возврата
Уточняйте у продавцаДругие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Любимые товары покупателей
Чат