IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SKIIP 13AC126V1 в корпусе MiniSKiiP® 1. Устройство имеет максимальное напряжение 1200 В, ток коллектора 50 А и мощность рассеивания 7500 Вт.

• Максимальное напряжение: 1200 В
• Ток коллектора: 50 А
• Мощность рассеивания: 7500 Вт
• Корпус: MiniSKiiP® 1
• Монтаж: Press-Fit

Модуль работает с максимальным обратным напряжением 1200 В. Максимально допустимый ток коллектора составляет 50 А, а предельная мощность рассеивания — 7500 Вт. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено ±20 В.

Корпус MiniSKiiP® 1 содержит трехфазный мост IGBT с выходом OE и термистором. Структура полупроводника реализована по схеме транзистор/транзистор. Механическое крепление выполнено с помощью болтов, а электрическое подключение осуществляется по технологии Press-Fit.