Полевой транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD12NF06T4 в корпусе DPAK. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 8,5 А.

• Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 8,5 А
• Максимальная мощность рассеивания: 30 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 100 mOm
• Корпус: DPAK, монтаж поверхностный
• Количество в комплекте: 20 шт.

Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный) и униполярной поляризацией. Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 8,5 А.

Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 100 mOm. Максимальная мощность рассеивания транзистора — 30 Вт.

Производитель использует технологию SuperMesh™. Версия компонента обозначена как ESD.