•
•
•
•
•
•
Транзистор DACO Semiconductor DACMI200N1200, SiC, 125 А, 1,2 кВ
Характеристики и описание
Основной
| Максимальная мощность рассеивания | 980 Вт |
Дополнительные характеристики
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
Основной
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 125 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 15 mOm |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Корпус | SOT227B |
| Производитель | DACO Semiconductor |
| Рабочая температура | -55–150 °C |
| Технология | SiC |
Одиночный силовой транзистор DACO Semiconductor DACMI200N1200 в корпусе SOT227B. Устройство изготовлено по технологии SiC и имеет максимальный ток стока 125 А при напряжении 1,2 кВ.
- Ток стока: 125 А
- Напряжение: 1,2 кВ
- Технология: SiC
- Корпус: SOT227B
- Сопротивление Rds: 15 мОм
- Мощность: 980 Вт
Максимально допустимый ток стока составляет 125 А, а напряжение затвор-исток ограничено 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 15 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 980 Вт.
Конструкция и монтажТранзистор выполнен как одиночный транзистор в корпусе SOT227B. Механический и электрический монтаж — винтовой. Диапазон рабочих температур составляет от -55 до 150 °C.
Транзистор DACO Semiconductor DACMI200N1200, SiC, 125 А, 1,2 кВ
В наличии
14 420 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность
Нова Пошта, Самовывоз
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Самовывоз
Условия возврата
Возврат товара в течение 14 дней Другие товары продавца
Смотрите также
Новинки в категории транзисторы
Чат