IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SKM75GB17E4 — полупроводниковый компонент в корпусе SEMITRANS2 с топологией полумоста. Модуль имеет максимальный ток коллектора 510 А и максимальное обратное напряжение 1,7 кВ.

• Максимально допустимый ток коллектора: 510 А
• Максимальное обратное напряжение: 1,7 кВ
• Корпус: SEMITRANS2
• Топология: полумост IGBT
• Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
• Тип монтажа: винтовой

Модуль работает с максимальным током коллектора 510 А и выдерживает обратное напряжение до 1,7 кВ. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В. Структура полупроводника реализована по схеме «транзистор/транзистор» в топологии IGBT-полумоста.

Компонент изготовлен в стандартном корпусе SEMITRANS2. Механическое крепление модуля осуществляется с помощью болтов (винтовой монтаж). Электрическое соединение предусматривает использование коннекторов FASTON или болтового соединения.