Модуль IGBT Semikron Danfoss SKM200GAL125D — полупроводниковый компонент в корпусе SEMITRANS3. Устройство сочетает диод и транзистор, работает в топологии boost chopper с максимальным током коллектора 20 А и напряжением 1,2 кВ.
- Ток коллектора: 20 А
- Максимальное напряжение: 1,2 кВ
- Корпус: SEMITRANS3
- Топология: boost chopper
- Структура: диод/транзистор
- Монтаж: коннекторы FASTON, винтовое крепление
Электрические параметры
Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 1,2 кВ и ток коллектора 20 А. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В. Эти характеристики определяют рабочий диапазон компонента в электрических схемах.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SEMITRANS3, версия D56. Электрическое соединение осуществляется через коннекторы FASTON или винтовым креплением. Механическое крепление модуля также выполняется винтовым способом.