Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF16N65M2 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы под напряжением до 650 В. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе TO220FP для монтажа в отверстия (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
• Максимально допустимый ток стока: 11 А (импульсный: 44 А)
• Максимальная мощность рассеивания: 25 Вт
• Корпус: TO220FP, монтаж THT
• Количество в наборе: 10 шт.

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 650 В. Максимальный ток стока равен 11 А, а в импульсном режиме прибор выдерживает ток до 44 А. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 25 Вт.

Компонент выполнен в корпусе TO220FP. Тип монтажа — THT (through-hole technology), то есть выводы устанавливаются в отверстия печатной платы.

В комплекте поставляется 10 транзисторов STF16N65M2. Заряд затвора составляет 19,5 нКл, а сопротивление в открытом состоянии — 0,36 Ом.