Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP200NF03 — это полевой транзистор с каналом обогащения, работающий по технологии STripFET™ III. Прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 120 А при мощности рассеивания 300 Вт.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
• Максимальный ток стока: 120 А
• Мощность рассеивания: 300 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 3.6 мОм
• Корпус: TO220-3, выводной монтаж
• Технология: STripFET™ III
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 30 В и максимально допустимое напряжение затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 120 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 3.6 мОм. Максимальная мощность рассеивания определена на уровне 300 Вт.

Компонент выполнен в корпусе TO220-3 с выводным типом монтажа. Это униполярный полевой транзистор с обогащаемым каналом. Согласно данным магазина, импульсный ток стока может достигать 480 А, а заряд затвора составляет 0.14 мкКл.

В комплекте поставляется 10 шт. транзисторов.