Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD30NF06LT4 — полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе DPAK. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 25 А при мощности рассеивания 70 Вт.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 25 А
• Максимальная мощность рассеивания: 70 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 28 мОм
• Корпус: DPAK (поверхностный монтаж)
• Количество в комплекте: 20 шт.

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и максимально допустимый ток стока 25 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 28 мОм, что определяет тепловые потери при работе. Максимальная мощность рассеивания равна 70 Вт, а напряжение затвор-исток ограничено 20 В.

Компонент выполнен в поверхностном корпусе DPAK. Используется технология SuperMesh™. Версия ESD указывает на наличие защиты от электростатического разряда.

В набор поставляется 20 шт. транзисторов. Компонент имеет версию ESD, что указывает на наличие защиты от электростатического разряда.