Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD25NF10T4 — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе DPAK. Прибор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 100 В и ток стока 21 А.
- Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
- Максимально допустимый ток стока: 21 А
- Максимальная мощность рассеивания: 100 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 38 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж поверхностный
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 100 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 38 мОм.
Конструкция и монтаж
Используется поверхностный тип монтажа. Корпус: DPAK. Технология SuperMesh™ и версия ESD указаны в спецификации производителя.
Канал и полярность
Транзистор имеет канал обогащения и является униполярным прибором. В набор поставляется 20 шт. транзисторов.