Транзистор IGBT ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD5B65MQ1E в корпусе TO252. Предназначен для поверхностного монтажа. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 650 В, максимальный ток коллектора — 15 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Максимальный ток коллектора: 15 А
- Максимальная мощность рассеивания: 21 Вт
- Корпус: TO252
- Тип монтажа: поверхностный
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 650 В и максимальный ток коллектора 15 А. Максимальная мощность рассеивания равна 21 Вт. Согласно данным магазина, заряд затвора составляет 8,8 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO252. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Это определяет способ установки транзистора на печатную плату.
Комплектация
В комплекте поставляется 30 транзисторов.