P-канальный полевой транзистор Diodes Incorporated модели ZXMP6A17GTA в корпусе SOT223. Тип монтажа: поверхностный, имеет максимальную мощность рассеивания 2 Вт и сопротивление в открытом состоянии 125 мОм.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Корпус: SOT223
- Максимальная мощность рассеивания: 2 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 125 мОм
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Тип монтажа: поверхностный
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор является полевым (MOSFET) с P-каналом. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 125 мОм.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе типа SOT223, предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Максимальная мощность рассеивания составляет 2 Вт.
Комплектация
Товар поставляется в виде набора, содержащего 20 единиц транзисторов.