Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STS5DNF20V — это полевой транзистор с каналом обогащения, работающий по технологии STripFET™ II. Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 20 В, ток стока 5 А и мощность рассеивания 1,6 Вт. Корпус SO8 обеспечивает поверхностный монтаж (SMD).

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 В
• Максимально допустимый ток стока: 5 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 40 мОм
• Корпус: SO8, монтаж: поверхностный
• Количество в наборе: 100 шт.

Транзистор характеризуется максимально допустимым напряжением сток-исток 20 В и напряжением затвор-исток 12 В. Максимально допустимый ток стока составляет 5 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 40 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 1,6 Вт.

Прибор выполнен в корпусе SO8, предназначенном для поверхностного монтажа. Транзистор является однополярным (unipolar) с каналом обогащения (enhancement mode). Используется технология производства STripFET™ II.

В комплекте поставляется 100 транзисторов STS5DNF20V от производителя STMicroelectronics. Символ TME для данного товара: STS5DNF20V.