Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP310N10F7 — это полевой транзистор с каналом обогащения и технологией DeepGATE™. В комплекте 5 шт. в корпусе TO220-3.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
• Максимально допустимый ток стока: 120 А
• Максимальная мощность рассеивания: 315 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 2.7 мОм
• Корпус: TO220-3
• Количество в комплекте: 5 шт.

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 100 В, а максимально допустимый ток стока — 120 А. Максимальная мощность рассеивания равна 315 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 2.7 мОм.

Транзистор выполнен в корпусе TO220-3 с выводным типом монтажа. Применены технологии DeepGATE™ и STripFET™ VII. Полярность транзистора — униполярная.

В наборе 5 транзисторов. Символ производителя: STP310N10F7.