Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP2N80K5 — это полевой транзистор с технологией MDmesh™ K5 в корпусе TO220-3. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 800 В и ток стока 1,3 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
• Максимально допустимый ток стока: 1,3 А
• Технология: MDmesh™ K5
• Корпус: TO220-3
• Количество в комплекте: 20 шт.

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 800 В и напряжением затвор-исток 30 В. Максимально допустимый ток стока составляет 1,3 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 4500 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 42 Вт.

Компонент изготовлен по технологии MDmesh™ K5 и имеет выводной тип монтажа. Корпус TO220-3. Канал транзистора является встроенным (обогащенный), а полярность — униполярной.

Заряд затвора составляет 5 нКл. Импульсный ток стока (Idm) достигает 8 А. В комплект поставки входит 20 шт. транзисторов.