Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN1NK60Z — это полевой транзистор с каналом обогащения, с максимально допустимым напряжением сток-исток 600 В. Устройство выполнено в корпусе SOT223 и имеет максимальную мощность рассеивания 3,3 Вт.

• Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 189 мА
• Максимальная мощность рассеивания: 3,3 Вт
• Корпус: SOT223 (поверхностный монтаж)
• Количество в наборе: 30 шт.

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В, что определяет рабочий диапазон устройства. Максимально допустимый ток стока равен 189 мА (0,189 А). Напряжение затвор-исток ограничено значением 30 В. Максимальная мощность рассеивания — 3,3 Вт.

Транзистор изготовлен по технологии SuperMesh™ и имеет версию ESD. Корпус SOT223 обеспечивает поверхностный монтаж (SMD). Тип монтажа — поверхностный.

В комплекте поставляется 30 штук транзисторов STN1NK60Z. Канал транзистора — обогащенный (wzbogacany), полярность — униполярная (unipolarny).