Нажмите найти для поиска
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA25M120DF3, 1200 В, 100 А, TO247-3 (5 шт.)
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA25M120DF3, 1200 В, 100 А, TO247-3 (5 шт.)
Характеристики и описание

Основной

ПроизводительSTMicroelectronics
Максимальная мощность рассеивания375 Вт

Дополнительные характеристики

СостояниеНовое

Основной

Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой

Пользовательские характеристики

Гарантийный срок12 мес
Количество в комплекте5 шт.
КорпусTO247-3

Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA25M120DF3 — полупроводниковый прибор в корпусе TO247-3. Комплект состоит из 5 единиц.

  • Тип транзистора: IGBT
  • Максимальное напряжение: 1200 В
  • Максимальный ток: 100 А
  • Мощность рассеивания: 375 Вт
  • Корпус: TO247-3
  • Тип монтажа: штыревой
  • Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 1200 В, а максимально допустимый ток коллектора — 100 А. Максимальная мощность рассеивания равна 375 Вт. Заряд затвора — 85 нКл, напряжение затвор-эмиттер — ±30 В.

Конструкция и монтаж

Прибор имеет штыревой тип монтажа (THT). Интегрированный антипараллельный диод (integrated anti-parallel diode) встроен в структуру транзистора.

Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA25M120DF3, 1200 В, 100 А, TO247-3 (5 шт.)

В наличии
Код: TM206707
2 900 ₴
Способы оплаты
Безопасная оплата
  • Как наложенный платеж, только без переплат
  • Вернем деньги, если что-то пойдет не так
  • Bigl гарантирует безопасность
Наложенный платеж
Нова Пошта, Самовывоз
Оплата на счет
IBAN UA063220010000026005360045578
Способы доставки
Нова Пошта — от 70 грн
Самовывоз
Условия возврата
Уточняйте у продавца
Новинки в категории транзисторы
Чат