Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA25M120DF3 — полупроводниковый прибор в корпусе TO247-3. Комплект состоит из 5 единиц.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимальное напряжение: 1200 В
- Максимальный ток: 100 А
- Мощность рассеивания: 375 Вт
- Корпус: TO247-3
- Тип монтажа: штыревой
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 1200 В, а максимально допустимый ток коллектора — 100 А. Максимальная мощность рассеивания равна 375 Вт. Заряд затвора — 85 нКл, напряжение затвор-эмиттер — ±30 В.
Конструкция и монтаж
Прибор имеет штыревой тип монтажа (THT). Интегрированный антипараллельный диод (integrated anti-parallel diode) встроен в структуру транзистора.