Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW80H65DFB — биполярный транзистор с изолированным затвором в корпусе TO247-3, тип монтажа — выводной. Основные параметры из наименования TME: 650 В, 80 А, 470 Вт. В наборе 5 шт.

• Параметры из наименования TME: 650 В, 80 А, 470 Вт
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
• Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
• Заряд затвора: 414 нКл
• Корпус: TO247-3
• Количество в наборе: 5 шт.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 650 В. Максимальная мощность рассеивания — 470 Вт. Напряжение затвор-эмиттер — ±20 В. Заряд затвора — 414 нКл. Транзистор имеет встроенный антипараллельный диод.