Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW40H65DFB — биполярный транзистор с изолированным затвором в корпусе TO247-3, тип монтажа — выводной. Основные параметры из наименования TME: 650 В, 40 А, 283 Вт. В наборе 10 шт.

• Параметры из наименования TME: 650 В, 40 А, 283 Вт
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
• Напряжение затвор-эмиттер: ±30 В
• Заряд затвора: 0,21 мкКл
• Корпус: TO247-3
• Количество в наборе: 10 шт.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 650 В. Максимальная мощность рассеивания — 283 Вт. Напряжение затвор-эмиттер — ±30 В. Заряд затвора — 0,21 мкКл. Транзистор имеет встроенный антипараллельный диод.