Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW30H65FB в корпусе TO247-3. Напряжение коллектор-эмиттер — 650 В, ток коллектора — 30 А. В наборе 10 шт.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 30 А
- Мощность рассеивания: 260 Вт
- Корпус: TO247-3
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания составляет 260 Вт. Заряд затвора — 149 нКл, напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Конструкция и монтаж
Корпус TO247-3, тип монтажа — выводной (в отверстия).