Транзистор IGBT STMicroelectronics STGF3NC120HD — биполярный транзистор с изолированным затвором в корпусе TO220FP, тип монтажа — выводной. Основные параметры из наименования TME: 1,2 кВ, 3 А, 25 Вт. В наборе 10 шт.
- Параметры из наименования TME: 1,2 кВ, 3 А, 25 Вт
- Максимальная мощность рассеивания: 25 Вт
- Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
- Заряд затвора: 24 нКл
- Корпус: TO220FP
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания — 25 Вт. Напряжение затвор-эмиттер — ±20 В. Заряд затвора — 24 нКл. Транзистор имеет встроенный антипараллельный диод.