Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF13N60DM2 — это полевой транзистор с каналом обогащения и технологией MDmesh™ DM2. Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 7 А, выполнен в корпусе TO220FP для навесного монтажа.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой, униполярный
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 7 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 365 мОм
• Корпус: TO220FP, навесной монтаж
• Технология: MDmesh™ DM2
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 600 В и напряжением затвор-исток 25 В. Максимально допустимый ток стока составляет 7 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 365 мОм. Заряд затвора составляет 19 нКл.

Прибор выполнен в корпусе TO220FP, что обеспечивает навесной тип монтажа. Максимальная мощность рассеивания составляет 25 Вт. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.

Импульсный ток стока (Idm) составляет 44 А. Канал транзистора является каналом обогащения, а полярность — униполярной. В набор поставляется 10 транзисторов STF13N60DM2.