Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11N60DM2 — это полевой транзистор с изолированным затвором в корпусе TO220FP. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 10 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 10 А
• Максимальная мощность рассеивания: 25 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 420 мОм
• Корпус: TO220FP (выводной монтаж)
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и максимально допустимый ток стока 10 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 25 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 420 мОм.

Компонент выполнен в корпусе TO220FP. Тип монтажа — выводной (THT). Транзистор является униполярным с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный канал).

В наборе поставляется 10 транзисторов STF11N60DM2. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 25 В. Импульсный ток стока (Idm) достигает 40 А. Заряд затвора (Qg) равен 16,5 нКл.