Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD4NK60Z-1 — это полевой транзистор с обогащенным каналом и максимально допустимым напряжением 600 В.
- Тип транзистора: N-MOSFET, полевой
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
- Максимально допустимый ток стока: 2,5 А
- Максимальная мощность рассеивания: 70 Вт
- Корпус: IPAK, выводной монтаж
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В. Максимально допустимый ток стока равен 2,5 А, импульсный ток: 16 А. Максимальная мощность рассеивания: 70 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 2000 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе IPAK с выводным типом монтажа. Заряд затвора составляет 26 нКл.