Модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM300GB066D в корпусе SEMITRANS3. Структура полупроводника — транзистор/транзистор, топология — полумост IGBT. Максимальное обратное напряжение — 600 В.

• Тип: модуль IGBT, транзистор/транзистор
• Максимальное обратное напряжение: 600 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 600 А
• Напряжение затвор – эмиттер: ±20 В
• Корпус: SEMITRANS3

Максимально допустимый ток коллектора — 600 А. Напряжение затвор – эмиттер — ±20 В.

Механический монтаж — винтовой (прикручивание), электрическое подключение — разъемы FASTON и прикручивание.

Применение по данным TME: источники бесперебойного питания (UPS), инверторы, фотовольтаика.