Модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SKM300GAL12E4 в корпусе SEMITRANS3. Структура полупроводника — диод/транзистор, топология — повышающий чоппер. Максимальное обратное напряжение — 1,2 кВ.
- Тип: модуль IGBT, диод/транзистор
- Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
- Ток коллектора: 324 А
- Напряжение затвор – эмиттер: ±20 В
- Корпус: SEMITRANS3
Электрические параметры
Ток коллектора — 324 А. Напряжение затвор – эмиттер — ±20 В.
Монтаж
Механический монтаж — винтовой (прикручивание), электрическое подключение — разъемы FASTON и прикручивание.
Применение
Применение по данным TME: источники бесперебойного питания (UPS), инверторы, фотовольтаика.