IGBT модуль SEMIKRON DANFOSS SKM25GD125D — это полупроводниковый прибор в корпусе SEMITRANS6 с топологией трехфазного моста. Максимально допустимый ток коллектора составляет 50 А, а максимальное обратное напряжение — 1,2 кВ.

• Максимальный ток коллектора: 50 А
• Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
• Топология: трехфазный IGBT-мост
• Корпус: SEMITRANS6
• Монтаж: прикручивание и коннекторы FASTON

Модуль рассчитан на работу с током коллектора до 50 А. Максимальное обратное напряжение равно 1,2 кВ. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено диапазоном ±20 В.

Прибор имеет структуру «транзистор/транзистор» и реализует топологию трехфазного IGBT-моста. Корпус выполнен по стандарту SEMITRANS6. Механическое крепление осуществляется прикручиванием, а электрическое соединение выполняется через коннекторы FASTON.