IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SKM200GB125D в корпусе SEMITRANS3. Устройство имеет топологию полумоста и максимальный ток коллектора 160 А.
- Тип модуля: IGBT
- Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
- Максимально допустимый ток коллектора: 160 А
- Корпус: SEMITRANS3 (версия D56)
- Топология: полумост IGBT
- Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
Электрические параметры
Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 1,2 кВ. Максимально допустимый ток коллектора составляет 160 А. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено значением ±20 В.
Конструкция и монтаж
Внутренняя структура полупроводника реализована по схеме «транзистор/транзистор». Корпус выполнен в версии D56. Для электрического монтажа предусмотрены коннекторы FASTON и винтовые соединения, механическое крепление также осуществляется прикручиванием.