Модуль IGBT Semikron Danfoss SKIIP 24NAB12T4V1 — полупроводниковый компонент в корпусе MiniSKiiP® 2 с максимальным обратным напряжением 1,2 кВ. Устройство сочетает функции диода и транзистора, реализуя топологию boost chopper и трехфазные мосты.
- Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
- Максимальный ток коллектора: 105 А
- Корпус: MiniSKiiP® 2
- Топология: boost chopper, трехфазные мосты
- Электрический монтаж: Press-Fit
Электрические параметры
Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 1,2 кВ и максимальный ток коллектора 105 А. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±20 В.
Топология и конструкция
Внутренняя структура модуля включает диод, транзистор, трехфазный диодный мост, трехфазный IGBT-мост и термистор NTC. Такая конфигурация поддерживает работу в режиме boost chopper.
Монтаж и применение
Механическое крепление модуля выполняется прикручиванием, а электрическое соединение реализуется технологией Press-Fit. Применение компонента охватывает системы бесперебойного питания (UPS), инверторы и фотоэлектрические установки.