Полупроводниковый модуль IGBT от бренда SEMIKRON DANFOSS, модель SKIIP 12NAB126V20. Устройство сочетает в себе диод и транзистор в корпусе MiniSKiiP® 1 с максимальным напряжением 1,2 кВ и током коллектора 30 А.

• Максимальная мощность рассеивания: 5500 Вт
• Максимально допустимый ток коллектора: 30 А
• Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
• Корпус: MiniSKiiP® 1
• Тип монтажа: Press-Fit

Модуль рассчитан на максимальную рассеиваемую мощность 5500 Вт. Максимально допустимое обратное напряжение составляет 1,2 кВ, а ток коллектора — 30 А. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено диапазоном ±20 В.

Корпус типа MiniSKiiP® 1. Механическое крепление выполняется прикручиванием, а электрическое соединение реализовано по технологии Press-Fit. Внутренняя структура модуля включает диод и транзистор.