Модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SK60GB125 в корпусе SEMITOP3. Топология — полумост IGBT с термистором NTC, структура полупроводника — транзистор/транзистор. Максимальное обратное напряжение — 1,2 кВ.

• Тип: модуль IGBT, полумост, термистор NTC
• Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
• Максимально допустимый ток коллектора: 100 А
• Монтаж: винтовой, Press-in PCB
• Напряжение затвор – эмиттер: ±20 В
• Корпус: SEMITOP3

Максимально допустимый ток коллектора — 100 А. Напряжение затвор – эмиттер — ±20 В.

Механический монтаж — винтовой (прикручивание). Электрический монтаж — Press-in PCB, то есть запрессовка выводов в печатную плату.

Применение по данным TME: источники бесперебойного питания (UPS), инверторы, фотовольтаика.