Транзистор IGBT ROHM SEMICONDUCTOR RGS60TS65DHRC11 в корпусе TO247-3 с монтажом THT. В наборе 3 шт.
- Тип: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 30 А
- Рассеиваемая мощность: 111 Вт
- Напряжение затвор-эмиттер: ±30 В
- Корпус: TO247-3, THT
Электрические параметры
Напряжение коллектор-эмиттер — 650 В. Ток коллектора — 30 А. Рассеиваемая мощность — 111 Вт. Напряжение затвор-эмиттер — ±30 В. Заряд затвора — 36 нКл. Особенность по данным TME: встроенный антипараллельный диод.
Время переключения
Время включения — 46 нс, время выключения — 290 нс.