P-MOSFET транзистор PanJit PJD35P03-L2 — униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель рассчитана на максимальную рассеиваемую мощность 35 Вт и напряжение затвор-исток 20 В.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
• Максимальная мощность рассеивания: 35 Вт
• Напряжение затвор-исток: 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 30 мОм
• Корпус: TO252AA, монтаж поверхностный
• Количество в комплекте: 50 шт.

Транзистор имеет максимальную рассеиваемую мощность 35 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 30 мОм. Согласно данным производителя, устройство работает при напряжении -30 В и токе -35 А, с импульсным током до -140 А.

Компонент выполнен в корпусе TO252AA. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Поляризация транзистора — униполярная, тип канала — обогащенный.

В комплекте поставляется 50 шт. транзисторов.