Транзистор IGBT IXYS IXXH30N60B3D1 — полупроводниковый прибор технологии GenX3™ в корпусе TO247AD. Комплект состоит из 3 единиц с максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер 600 В.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 115 А
- Максимальная мощность рассеивания: 270 Вт
- Корпус: TO247AD
- Количество в комплекте: 3 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 600 В и максимально допустимый ток коллектора 115 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 270 Вт. Заряд затвора равен 39 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Конструкция и монтаж
Прибор изготовлен по планарной технологии XPT™ и относится к семейству GenX3™. Корпус TO247AD обеспечивает штыревой тип монтажа.
Комплектация
В набор поставляется 3 транзистора IXXH30N60B3D1.