Комплементарная пара транзисторов N/P-MOSFET от Diodes Incorporated, модель DMC3016LSD-13. Компоненты предназначены для поверхностного монтажа в корпусе SO8. В комплекте 30 штук.

• Тип монтажа: поверхностный
• Корпус: SO8
• Максимальная мощность рассеивания: 1,2 Вт
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
• Напряжение сток-исток: 30/-30 В
• Ток стока: 8,2/-6,2 А
• Количество в комплекте: 30 шт.

Транзисторы имеют максимальное напряжение затвор-исток 20 В. Максимальная мощность рассеивания составляет 1,2 Вт. Напряжение сток-исток равно 30/-30 В, а ток стока — 8,2/-6,2 А. Сопротивление в состоянии проводимости — 0,028/0,016 Ом.

Компоненты выполнены в корпусе SO8 для поверхностного монтажа. Тип транзистора указан как биполярный, хотя в описании обозначен MOSFET. Канал обогащенный, полярность униполярная.

В наборе 30 транзисторов.