Транзистор IGBT STARPOWER SEMICONDUCTOR DG50X07T2 в корпусе TO247: напряжение коллектор-эмиттер — 650 В, ток коллектора — 50 А, мощность рассеивания — 714 Вт. В наборе 10 шт.
- Тип: транзистор IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 50 А
- Мощность рассеивания: 714 Вт
- Напряжение затвор-эмиттер: ±20 В
- Корпус: TO247
Электрические параметры
Напряжение затвор-эмиттер — ±20 В, заряд затвора — 0,35 мкКл. Транзистор имеет встроенный антипараллельный диод.
Монтаж
Тип монтажа — вставной.