Транзистор N-MOSFET от бренда BASiC SEMICONDUCTOR, модель B2M065120Z. Это полупроводниковый прибор на основе технологии SiC с максимальным током стока 33 А и напряжением 1200 В. В комплекте поставляется 2 штуки.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой
• Технология: SiC (карбид кремния)
• Максимальная мощность: 250 Вт
• Ток стока: 33 А (импульсный 85 А)
• Корпус: TO247-4, вывод Кельвина
• Комплектация: 2 шт.

Прибор является полевым транзистором с каналом обогащения (enhancement mode). Максимальная мощность рассеивания составляет 250 Вт. Максимально допустимый ток стока равен 33 А, а импульсный ток — 85 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 65 мОм.

Транзистор изготовлен по технологии SiC (карбид кремния) в корпусе TO247-4. Тип монтажа — выводной (through-hole). Корпус имеет вывод Кельвина. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 18 В. Заряд затвора составляет 60 нКл. Полярность транзистора — униполярная.