Транзистор IGBT производства ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, модель AOKS40B65H2AL. Это полупроводниковый прибор в корпусе TO247 с максимальным током коллектора 40 А и напряжением коллектор-эмиттер 650 В. В комплекте поставляется 10 единиц.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 40 А
- Максимальная мощность рассеивания: 105 Вт
- Корпус: TO247, выводной монтаж
- Энергия выключения: 0,54 мДж, включения: 1,17 мДж
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 650 В и максимальный ток коллектора 40 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 105 Вт. Согласно данным производителя, энергия выключения равна 0,54 мДж, а энергия включения — 1,17 мДж.
Конструкция и монтаж
Прибор выполнен в корпусе TO247 с выводным типом монтажа. Согласно данным, это IGBT-транзистор. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±30 В, а напряжение насыщения коллектор-эмиттер — 2,05 В. Заряд затвора равен 61 нКл.
Комплектация
В наборе содержится 10 транзисторов.