Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW56N65M2 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 3 штук в корпусе TO247 с выводами для монтажа на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
• Постоянный ток стока: 31 А (импульсный: 196 А)
• Рассеиваемая мощность: 358 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 49 мОм
• Корпус: TO247, монтаж THT
• Комплектация: 3 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 650 В и постоянный ток стока 31 А. В импульсном режиме ток может достигать 196 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 358 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 49 мОм, что влияет на тепловые потери при работе. Напряжение на затворе ограничено ±25 В, а полный заряд затвора — 93 нКл.

Прибор выполнен в стандартном корпусе TO247. Монтаж осуществляется через отверстия на плате (технология THT).