IGBT-транзистор STGP30H60DFB от STMicroelectronics в корпусе TO220AB. Комплект состоит из 10 единиц. Характеризуется напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора 30 А.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Ток коллектора: 30 А (постоянный), 120 А (импульсный)
- Рассеиваемая мощность: 260 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Встроенный антипараллельный диод
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 600 В и постоянным током коллектора 30 А. В импульсном режиме ток может достигать 120 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 260 Вт.
Особенности конструкции
Компонент имеет встроенный антипараллельный диод. Напряжение затвор-эмиттер ограничено ±20 В, а заряд затвора — 149 нКл. Монтаж выполняется методом THT (сквозь отверстия), корпус TO220AB.