Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB60NF06T4 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD) и изготовлена по технологии SuperMesh™, что обеспечивает низкое сопротивление открытого канала. Комплект состоит из 10 единиц.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
• Максимальный ток стока: 42 А
• Рассеиваемая мощность: 110 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 16 мОм
• Корпус: D2PAK, монтаж SMD
• Технология: SuperMesh™, защита ESD
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 42 А. Рассеиваемая мощность составляет 110 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.

Транзистор изготовлен по технологии SuperMesh™. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 16 мОм. Корпус D2PAK и тип монтажа SMD определяют способ установки компонента. Компонент имеет версию ESD.