Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP9NK90Z — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на высокое напряжение и ток. Модель изготовлена по технологии SuperMesh™ в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT). Комплект поставки включает 10 единиц.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 900 В
- Ток стока: 5 А
- Рассеиваемая мощность: 160 Вт
- Корпус: TO220-3 для монтажа THT
- Технология: SuperMesh™
- Комплектация: 10 шт.
Напряжение и ток
Прибор работает с напряжением сток-исток до 900 В и выдерживает ток стока 5 А. Рассеиваемая мощность составляет 160 Вт. Модель изготовлена по технологии SuperMesh™ в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT). Сопротивление в состоянии проводимости равно 1,3 Ом, а допустимое напряжение затвор-исток — ±30 В.
Корпус и технология
Корпус TO220-3 предназначен для выводного монтажа (THT). Версия: ESD. Сопротивление в состоянии проводимости равно 1,3 Ом, а допустимое напряжение затвор-исток — ±30 В.