Транзистор STMicroelectronics STP20N65M5 — это полевой N-MOSFET с технологией MDmesh™ V. Модель имеет максимальное напряжение сток-исток 650 В, максимальный ток стока 11,3 А и мощность рассеивания 130 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
• Максимально допустимый ток стока: 11,3 А
• Максимальная мощность рассеивания: 130 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 190 мОм
• Корпус: TO220-3, выводной монтаж
• Технология: MDmesh™ V
• Количество в комплекте: 10 шт.

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 650 В и напряжением затвор-исток 25 В. Максимально допустимый ток стока составляет 11,3 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 190 мОм. Эти характеристики определяют рабочие пределы компонента в электрических цепях.

Компонент выполнен в корпусе TO220-3 с выводным типом монтажа. Это полевой транзистор с каналом типа «обогащенный» и униполярной поляризацией. Версия компонента: ESD.

В наборе поставляется 10 шт. транзисторов STP20N65M5.