IGBT-транзистор STMicroelectronics STGP10M65DF2 в корпусе TO220AB имеет напряжение коллектор-эмиттер 650 В. Комплект из 20 штук обеспечивает необходимое количество компонентов для серийного производства или ремонта оборудования.
- Напряжение коллектор-эмиттер 650 В
- Номинальный ток коллектора 10 А
- Импульсный ток до 40 А
- Рассеиваемая мощность 115 Вт
- Корпус TO220AB с монтажом THT
- Интегрированный антипараллельный диод
- Комплект из 20 транзисторов
Высокое напряжение и ток
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер 650 В и номинальным током коллектора 10 А. Импульсный ток может достигать 40 А.
Встроенный диод и монтаж
Компонент имеет интегрированный антипараллельный диод. Монтаж выполняется методом THT (сквозь отверстия). Корпус TO220AB. Рассеиваемая мощность до 115 Вт.
Удобный комплект для производства
Упаковка содержит 20 транзисторов.