Основной
| Производитель | STMicroelectronics |
| Максимальная мощность рассеивания | 30 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.63 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8500 mOm |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
Основной
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | I2PAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD1NK60-1 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы под напряжением до 600 В. Комплект состоит из 20 единиц в корпусе I2PAK с технологией SuperMesh™ и защитой ESD.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 0,63 А, мощность рассеивания: 30 Вт
- Корпус I2PAK, монтаж THT
- Технология SuperMesh™, версия ESD
- Комплект: 20 шт.
Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 0,63 А. Мощность рассеивания составляет 30 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 8,5 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В, что определяет режимы управления транзистором.
Корпус I2PAK и монтаж THTТранзистор выполнен в корпусе I2PAK. Монтаж выполняется методом THT (through-hole technology), то есть выводы проходят сквозь отверстия на печатной плате.
Технология SuperMesh™ и защита ESDИспользование технологии SuperMesh™. Версия ESD предусматривает защиту от электростатических разрядов.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD1NK60-1, 600В, 0,63А, I2PAK — набор 20 шт.
- Как наложенный платеж, только без переплат
- Вернем деньги, если что-то пойдет не так
- Bigl гарантирует безопасность