Транзистор IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SKM400GB125D — полупроводниковый модуль типа IGBT с топологией полумоста в корпусе SEMITRANS3. Максимальное обратное напряжение модуля — 1,2 кВ, максимально допустимый ток коллектора — 600 А.
- Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
- Ток коллектора: 600 А
- Напряжение затвор – эмиттер: ±20 В
- Корпус: SEMITRANS3, версия D56
- Топология: полумост IGBT
- Монтаж: прикручиваемый, коннекторы FASTON
Электрические параметры
Максимальное обратное напряжение составляет 1,2 кВ. Максимально допустимый ток коллектора — 600 А. Напряжение затвор – эмиттер — ±20 В.
Структура и топология
Структура полупроводника — транзистор/транзистор, то есть модуль содержит два транзистора. Топология модуля — полумост IGBT.
Корпус и монтаж
Модуль выполнен в корпусе SEMITRANS3, версия — D56. Механический монтаж — прикручиваемый. Электрический монтаж — коннекторы FASTON и прикручивание.
Применение
По данным производителя, модуль применяется в источниках бесперебойного питания (UPS) и инверторах. Также в применениях указана фотоэлектрика.