Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STU2NK100Z — это полевой транзистор с индуцированным каналом, рассчитанный на напряжение сток-исток до 1000 В и ток стока 1,16 А. Устройство выполнено в корпусе IPAK с технологией SuperMesh™ и защитой от ESD, предназначено для монтажа в штыревом исполнении.

• Напряжение сток-исток: 1000 В
• Ток стока: 1,16 А
• Мощность рассеивания: 70 Вт
• Корпус: IPAK, штыревой монтаж
• Сопротивление в открытом состоянии: 8500 мОм
• Комплект: 20 шт.

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 1000 В, что определяет рабочий диапазон устройства. Максимально допустимый ток стока равен 1,16 А, а напряжение затвор-исток ограничено 30 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) зафиксировано на уровне 8500 мОм, что влияет на тепловые потери при работе.

Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 70 Вт. Корпус IPAK обеспечивает штыревой тип монтажа. Транзистор является униполярным с индуцированным каналом (enhancement), что соответствует классической схеме N-MOSFET.

В комплекте поставляется 20 шт. транзисторов STU2NK100Z. Версия устройства имеет маркировку ESD, указывающую на наличие встроенной защиты от электростатического разряда. Транзистор изготовлен по технологии SuperMesh™, что определяет его конструктивные особенности. Устройство является униполярным с индуцированным каналом (enhancement), что соответствует классической схеме N-MOSFET.