Транзистор STMicroelectronics STY60NM50 — это силовой N-MOSFET с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Устройство выполнено в корпусе MAX247 с технологией MDmesh™ и имеет встроенную защиту от электростатического разряда (ESD).

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
• Ток стока: 37,8 А
• Рассеиваемая мощность: 560 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 50 мОм
• Корпус: MAX247, монтаж THT
• Технология: MDmesh™, защита ESD

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 500 В и постоянный ток стока 37,8 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 50 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 560 Вт. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В.

Компонент предназначен для установки в отверстия печатных плат (THT). Корпус MAX247. Наличие версии ESD. Используется технология MDmesh™.