Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW11NM80 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для работы при напряжении до 800 В и токе до 8 А. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO247, изготовленных по технологии MDmesh™.

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
• Максимальный ток стока: 8 А
• Мощность рассеивания: 150 Вт
• Корпус: TO247, монтаж THT
• Количество в комплекте: 5 шт.

Прибор имеет напряжение сток-исток 800 В и максимальный ток стока 8 А. Мощность рассеивания составляет 150 Вт, а сопротивление в открытом состоянии равно 0,35 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.

Транзистор выполнен в корпусе TO247. Монтаж осуществляется выводами в отверстия (THT).

В комплекте поставки находится 5 транзисторов STW11NM80.