Набор из 20 транзисторов STMicroelectronics STP9NK65Z типа N-MOSFET в корпусе TO220-3. Предназначен для монтажа на плату с выводами (THT). Ключевые параметры: напряжение сток-исток 650 В, постоянный ток 6,4 А, рассеиваемая мощность 125 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
- Постоянный ток стока: 6,4 А, импульсный: 25,6 А
- Рассеиваемая мощность: 125 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические характеристики
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между выводами стока и истока составляет 650 В, а напряжение на затворе — ±30 В. Ток стока в импульсном режиме достигает 25,6 А.
Тепловые и сопротивленческие параметры
Рассеиваемая мощность транзистора составляет 125 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 1,2 Ом. Общий заряд затвора (Qg) — 41 нКл.
Комплектация и монтаж
В комплекте поставляется 20 единиц транзисторов. Тип монтажа — THT (through-hole technology), то есть компонент устанавливается в отверстия на печатной плате. Корпус TO220-3.